Séoul (Corée du Sud) — Samsung Electronics a annoncé l’élargissement de sa coopération avec le néerlandais ASML autour des technologies de fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération. Le groupe coréen rejoint un consortium international dédié aux « Large Size Masks » (grand format de photomasques de 12 pouces) et vise, en parallèle, l’introduction du High NA EUV dans la production de D‑RAM avancées d’ici 2028. L’objectif affiché est de renforcer sa compétitivité aux nœuds les plus fins, tant en mémoire que dans l’activité fonderie.
Piloté par ASML, le Large Size Mask Consortium rassemble des acteurs de la chaîne lithographique pour faire évoluer le standard industriel du photomasque, aujourd’hui de 6 pouces, vers un format 12 pouces. Les membres prévoient de partager les avancées techniques, de conduire des travaux communs de R&D et de travailler à l’élaboration de standards, avec en ligne de mire l’industrialisation de procédés adaptés aux futures générations de lithographie.
Au cœur de cette démarche se trouve l’essor du High NA EUV, une évolution de la lithographie à l’ultraviolet extrême exploitant une ouverture numérique (NA) plus élevée afin de dessiner des motifs encore plus fins. À mesure que les largeurs de ligne se contractent, la possibilité de réduire la complexité des enchaînements de procédés tout en maintenant la précision des motifs devient déterminante pour les rendements et les coûts.
Dans ce contexte, l’agrandissement du photomasque au format 12 pouces vise à limiter les contraintes liées au « stitching » — l’assemblage sur wafer de motifs exposés par zones lorsque le champ utile est insuffisant. Un masque de plus grande taille permet de couvrir de plus larges motifs en une seule exposition, condition favorable à l’exploitation du High NA EUV et, in fine, à une meilleure efficacité de production.
Samsung Electronics entend capitaliser sur l’expérience d’EUV acquise en production de masse au sein de sa division Device Solutions (DS), qui chapeaute ses activités semi-conducteurs, pour contribuer aux travaux du consortium et à la mise en place de l’écosystème associé aux masques 12 pouces. Le groupe prévoit en parallèle de déployer le High NA EUV dans ses lignes D‑RAM avancées à l’horizon 2028, une étape qui pourrait simplifier certains enchaînements de patterning et améliorer la productivité en mémoire.
La demande en composants hautes performances et haute capacité, portée par l’essor de l’IA, place les technologies de gravure les plus fines au centre de la compétition mondiale. La capacité à miniaturiser davantage tout en maîtrisant les rendements et les coûts devient un facteur clé de différenciation pour les fabricants. C’est aussi ce qui confère une portée particulière à l’alliance entre Samsung Electronics, acteur intégré présent en mémoire et en fonderie, et ASML, fournisseur incontournable des systèmes EUV et High NA EUV.
Selon les deux groupes, la collaboration dépasse la simple relation de fourniture d’équipements pour s’étendre au co‑développement de technologies de fabrication et à la structuration de l’écosystème. Les dirigeants de Samsung Electronics et d’ASML ont réaffirmé leur volonté d’accélérer, dans un contexte de marché dominé par l’IA, la mise au point et l’adoption des procédés de prochaine génération.
L’initiative s’inscrit dans une dynamique globale où la résilience des chaînes d’approvisionnement et l’accès aux technologies de pointe sont devenus stratégiques. Pour l’Europe, où ASML occupe une place centrale dans la lithographie, l’avancée coordonnée sur les masques grand format et le High NA EUV illustre la forte interdépendance des écosystèmes asiatiques et européens au sommet de la filière.
Samsung Electronics et ASML prévoient d’étendre leur coopération à la mémoire la plus avancée et à de nouveaux modes de fabrication. À mesure que les niveaux de complexité augmentent, l’adoption des masques 12 pouces couplés au High NA EUV sera un indicateur clé de la capacité de Samsung à consolider ses positions, tant en D‑RAM qu’en fonderie, dans la décennie qui s’ouvre.
